(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202211062054.1 (22)申请日 2022.08.31 (71)申请人 厦门通富微电子有限公司 地址 361012 福建省厦门市自由贸易试验 区厦门片区建港 路29号海沧国际物 流 大厦10楼10 01单元F0193 (72)发明人 陈志远　聂伟　 (74)专利代理 机构 北京中知法苑知识产权代理 有限公司 1 1226 专利代理师 李明　赵吉阳 (51)Int.Cl. B23K 26/38(2014.01) B23K 26/70(2014.01) H01L 21/67(2006.01) H01L 21/78(2006.01) (54)发明名称 晶圆切割方法及装置、 电子设备、 存 储介质 (57)摘要 本公开涉及晶圆镭射领域， 提供一种晶圆切 割方法及装置、 电子设备、 存储介质， 方法包括： 提供待切割的晶圆， 晶圆设置有多个 芯片以及位 于多个芯片之间设置有测试 互连层的切割道； 根 据晶圆的厚度， 确定宽带镭射的宽带镭射深度； 根据切割道的宽度， 分别确定窄带镭射的多个窄 带镭射宽度和宽带镭射的宽带镭射宽度； 根据多 个窄带镭射宽度， 采用预设的第一镭射功率组分 别沿切割道的宽度方向镭射切割道形成多个切 口， 将测试互连层分割为多段子测试互连层； 根 据宽带镭射宽度和宽带镭射深度， 采用预设的第 二镭射功率沿切割道的长度方向镭射切割道， 完 成多个芯片 的分割。 本公开可提升良品数量、 产 品良率、 产品品质、 产品的应力和强度， 还可提高 产线产能。 权利要求书2页 说明书9页 附图6页 CN 115302101 A 2022.11.08 CN 115302101 A 1.一种晶圆切割方法， 其特 征在于， 所述晶圆切割方法包括： 提供待切割的晶圆， 所述晶圆设置有待分割的多个芯片以及位于所述多个芯片之间的 切割道， 所述切割道设置有测试互连层； 根据所述晶圆的厚度， 确定宽带镭射的宽带镭射深度； 以及， 根据所述切割道的宽度， 分别确定窄带镭射的多个窄带镭射宽度和所述宽带镭射的宽带镭射宽度； 根据多个所述窄带镭射宽度， 采用预设的第 一镭射功率组分别沿所述切割道的宽度方 向镭射所述切割道形成多个切口， 所述多个切口将所述测试互连层分割为多段子测试互连 层； 根据所述宽带镭射宽度和所述宽带镭射深度， 采用预设的第 二镭射功率沿所述切割道 的长度方向镭射所述切割道， 完成所述多个芯片的分割。 2.根据权利要求1所述的晶圆切割方法， 其特征在于， 所述第 一镭射功率组包括不同的 多个第一镭射功率； 所述根据多个所述窄带镭射宽度， 采用预设的第一镭射功率组分别沿 所述切割道的宽度方向镭射所述切割道形成多个切口， 包括： 分别对每个所述窄带镭射宽度， 采用对应的所述第 一镭射功率镭射所述切割道形成对 应的所述切口。 3.根据权利要求1所述的晶圆切割方法， 其特征在于， 所述根据多个所述窄带镭射宽 度， 采用预设的第一镭射功 率组分别沿所述切割道的宽度方向镭射所述切割道形成多个切 口， 包括： 根据各所述窄带镭射宽度、 预设的镭射光斑半径和光斑重叠率， 采用所述第一镭射功 率组镭射所述切割道形成对应的所述切口。 4.根据权利要求1所述的晶圆切割方法， 其特征在于， 所述根据多个所述窄带镭射宽 度， 采用预设的第一镭射功 率组分别沿所述切割道的宽度方向镭射所述切割道形成多个切 口， 包括： 根据多个所述窄带镭射宽度， 分别采用所述第 一镭射功率组沿所述切割道的长度 方向 镭射所述切割道， 在所述切割道上形成多个切口组， 其中， 每个所述切口组均包括多个所述 切口， 且各 所述切口组中的各 所述切口分别与各 所述窄带镭射宽度一 一对应。 5.根据权利要求4所述的晶圆切割方法， 其特征在于， 沿所述切割道的长度方向， 各所 述切口组中的各 所述切口对应的所述 窄带镭射宽度依次减小。 6.根据权利要求1至5任一项所述的晶圆切割方法， 其特征在于， 在所述根据多个所述 窄带镭射宽度， 采用预设的第一镭射功 率组分别沿所述切割道的宽度方向镭射所述切割道 形成多个切口之前， 所述晶圆切割方法还 包括： 确定多个候选第一镭射功率组， 所述候选第一镭射功率组包括多个候选第一镭射功 率； 根据多个所述 窄带镭射宽度， 分别确定各 所述候选第一镭射功率组对应的热效应； 将所述热效应最小的候选第一镭射功率组作为所述第一镭射功率组。 7.根据权利要求1至5任一项所述的晶圆切割方法， 其特征在于， 在所述根据所述宽带 镭射宽度和所述宽带镭射深度， 采用预设的第二镭射功 率沿所述切割道的长度方向镭射所 述切割道之前， 所述晶圆切割方法还 包括： 确定多个候选第二镭射功率；权　利　要　求　书 1/2 页 2 CN 115302101 A 2根据所述宽带镭射宽度和所述宽带镭射深度， 分别确定各所述候选第 二镭射功率对应 的热效应； 将所述热效应最小的候选第二镭射功率作为所述第二镭射功率。 8.一种晶圆切割装置， 其特 征在于， 所述晶圆切割装置包括： 提供模块， 用于提供待切割的晶圆， 所述晶圆设置有待分割的多个芯片以及位于所述 多个芯片之间的切割道， 所述切割道设置有测试互连层； 确定模块， 用于根据所述晶圆的厚度， 确定宽带镭射的宽带镭射深度； 以及， 根据所述 切割道的宽度， 分别确定窄带镭射的多个窄带镭射宽度和所述宽带镭射的宽带镭射宽度； 第一镭射模块， 用于根据多个所述窄带镭射宽度， 采用预设的第一镭射功率组分别沿 所述切割道的宽度方向镭射所述切割道形成多个切口， 所述多个切口将所述测试互联层分 割为多段子测试互联层； 第二镭射模块， 用于根据所述宽带镭射宽度和所述宽带镭射深度， 采用预设的第二镭 射功率沿所述切割道的长度方向镭射所述切割道， 完成所述多个芯片的分割。 9.一种电子设备， 其特 征在于， 包括： 至少一个处 理器； 以及， 与所述至少一个处 理器通信连接的存 储器； 其中， 所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的指令， 所述指令被所述至少一个处 理器执行， 以使所述至少一个处理器能够执行权利要求1至7中任一项所述的晶圆切割方 法。 10.一种计算机可读存储介质， 存储有计算机程序， 其特征在于， 所述计算机程序被处 理器执行时实现权利要求1至7中任一项所述的 晶圆切割方法。权　利　要　求　书 2/2 页 3 CN 115302101 A 3