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(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202210983213.5 (22)申请日 2022.08.16 (71)申请人 宁波舜宇奥来 技术有限公司 地址 315400 浙江省宁波市余 姚市阳明街 道丰乐村 67-69号 (72)发明人 李静 刘旭冉 汪杰 陈远 (74)专利代理 机构 北京谨诚君睿知识产权代理 事务所 (特殊普通合伙) 11538 专利代理师 延慧 (51)Int.Cl. B23K 26/53(2014.01) B23K 26/70(2014.01) (54)发明名称 晶圆激光改质结构、 方法及系统 (57)摘要 本发明的一种晶圆激光改质结构、 方法及系 统, 在晶圆样品内部进行多层改质, 形成多层晶 圆改质层与多层第一留白层的重复结构, 控制晶 圆改质层激光热影 响域范围, 降低了临近晶圆改 质层之间的热影 响区域的互相叠加, 使晶圆改质 层产生的热裂纹都被局域限制在第一留白层内, 减少了隐形改质在材料内部的隐形损伤区域及 裂纹受附近热源影 响造成不受控拓展可能性, 避 免了热裂纹纵向 ‑横向拓展造成弯曲强度降低、 崩边等问题, 即保证了隐切的改质属性, 又能保 证外观、 理化性质, 使样品强度显著提升, 从而 提 升样品外观质量及加工精度。 权利要求书2页 说明书8页 附图6页 CN 115255682 A 2022.11.01 CN 115255682 A 1.一种晶圆激光改质结构, 其特征在于, 包括晶圆样品(10), 所述晶圆样品(10)的上表 面覆盖有成像胶层(20), 所述成像胶层为具有光学成像作用的载体, 所述晶圆激光改质结 构还包括: 多个晶圆改质层(11)沿所述晶圆样品(10)竖直方向平行设置, 相邻两个所述晶圆改质 层(11)之间设置有第一留白层(12); 成像胶改质层(21), 与所述晶圆改质层(1 1)平行设置 于所述成像胶 层(20)内; 所述晶圆改质层(1 1)的厚度大于所述第一留白层(12)的厚度。 2.根据权利要求1所述的 晶圆激光改质结构, 其特 征在于, 还 包括: 两层第三留白层(2 2), 分别设置 于所述成像胶改质层(21)的上、 下两侧。 3.根据权利要求1所述的 晶圆激光改质结构, 其特 征在于, 还 包括: 第二留白层(13), 所述第二留白层(13)设置于所述晶圆改质层(11 )与所述成像胶层 (20)之间; 第四留白层(14), 设置 于所述晶圆样品(10)的下表面与所述晶圆改质层(1 1)之间。 4.根据权利要求1所述的晶圆激光改质结构, 其特征在于, 所述晶圆改质层(11)包括高 密度位错区(111)、 脉冲孔洞(1 12)和热裂纹(1 13)。 5.根据权利要求4所述的晶圆激光改质结构, 其特征在于, 所述热裂纹(113)纵向长度 为0~15 μm。 6.根据权利要求1所述的晶圆激光改质结构, 其特征在于, 所述晶圆样品(10)的尺寸为 4~12英寸, 厚度为0.2 ~2.4mm。 7.根据权利要求1所述的晶圆激光改质结构, 其特征在于, 任意两个所述晶圆改质层 (11)的尺寸大小相等, 所述晶圆改质层(1 1)厚度为 40‑100 μm; 所述第一留白层(12)厚度为20~3 0 μm。 8.一种晶圆激光改质方法, 包括: 步骤S10、 将晶圆样品(10)负载于带有扩晶环(30)的胶带(40)上, 并放置于真空吸附载 台上; 步骤S20、 控制真空吸附载台(64)与激光器61发生相对移动, 并多次通过光学透镜(62) 调节激光焦点(60)在竖直方向上的位置, 以形成多层晶圆改质层(11)和成像胶改质层 (21); 步骤S30、 根据所需晶片(50)尺寸, 移动真空吸附载台(64), 调整激光焦点水平方向的 位置, 重复执 行步骤S20; 步骤S40、 将所述真空吸附载台旋转90 °后, 重复执 行步骤S20、 步骤S3 0; 步骤S50、 对所述晶圆样品(10)施加机 械力作用, 分离得到晶片(5 0)。 9.根据权利要求8所述的晶圆激光改质方法, 其特征在于, 在步骤S20前, 利用视觉相机 使样品沿着预定改质位置、 预定方向对位, 调整激光焦点位置(60)聚焦于晶圆样品(10)上 表面。 10.一种晶圆激光改质系统, 包括: 多轴工作平台(6 5), 所述工作平台配置有真空吸附载台(64); 激光器系统(61), 所述激光器系统(61)输出激光至 晶圆样品(10), 并从所述晶圆样品 (10)上表面入射;权 利 要 求 书 1/2 页 2 CN 115255682 A 2裂片装置, 所述裂片装置配置有用于承载所述晶圆样品(10)的衬板(70)所述裂片装置 用于对所述晶圆样品(10)沿改质轨 迹施加机 械力作用, 分离得到晶片(5 0); 主控单元, 所述主控单元存储有计算机程序, 所述计算机程序能够被执行以实现如权 利要求8或9所述方法的步骤, 以控制 工作平台、 激光器系统和裂片装置中的一种或多种进 行工作。权 利 要 求 书 2/2 页 3 CN 115255682 A 3
专利 晶圆激光改质结构、方法及系统
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