(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202210969355.6 (22)申请日 2022.08.12 (71)申请人 湖北三维半导体集成创新中心有限 责任公司 地址 430000 湖北省武汉市东湖新 技术开 发区高新四路18号新芯生产线厂房及 配套设施 2幢OS6号 (72)发明人 宋林杰　刘天建　田应超　 (74)专利代理 机构 北京派特恩知识产权代理有 限公司 1 1270 专利代理师 姚文娴　徐川 (51)Int.Cl. B23K 26/38(2014.01) B23K 26/142(2014.01) B23K 26/70(2014.01)B23K 10/00(2006.01) (54)发明名称 晶圆切割设备及晶圆切割方法 (57)摘要 本公开实施例提供一种晶圆切割设备及晶 圆切割方法， 该设备包括： 晶圆承载台， 用于承 载 晶圆， 且在切割时使所述晶圆表面朝下； 切割装 置， 位于所述晶圆承载台下方， 用于切割所述晶 圆承载台上的晶圆； 熔渣清除装置， 位于所述晶 圆承载台下方， 用于通过负气压抽走切割晶圆产 生的熔渣。 权利要求书2页 说明书9页 附图2页 CN 115041841 A 2022.09.13 CN 115041841 A 1.一种晶圆切割设备， 其特 征在于， 所述晶圆切割设备包括： 晶圆承载台， 用于承载晶圆， 且在切割时使所述晶圆表面朝下； 切割装置， 位于所述晶圆承载台下 方， 用于切割所述晶圆承载台上的 晶圆； 熔渣清除装置， 位于所述晶圆承载台下方， 用于通过负气压抽走切割所述晶圆产生的 熔渣。 2.根据权利要求1所述的设备， 其特 征在于， 所述晶圆切割设备还 包括： 通气装置， 位于所述切割装置侧边， 用于沿平行于所述晶圆表面的方向向所述切割装 置提供气流； 且所述 通气装置随切割装置同步移动。 3.根据权利要求2所述的设备， 其特 征在于， 所述 通气装置包括： 至少两个相互对称的通气口， 分别位于所述切割装置的两侧； 所述通气口的通气方向 平行于所述晶圆的表面且朝向所述切割装置 。 4.根据权利要求2所述的设备， 其特征在于， 所述通气装置提供的气流包括： 氮气或惰 性气体。 5.根据权利要求1所述的设备， 其特 征在于， 所述熔渣清除装置包括： 抽气筒； 所述抽气筒的开口朝向所述晶圆表面； 与所述抽气筒连接的熔渣排出 管。 6.根据权利要求5所述的设备， 其特征在于， 所述抽气筒包括至少一个抽气口， 位于所 述切割装置的相邻位置， 且所述抽气筒随所述切割装置同步移动。 7.根据权利要求1所述的设备， 其特 征在于， 所述切割装置包括： 激光切割头或离 子束切割头 。 8.根据权利要求1所述的设备， 其特征在于， 所述晶圆承载台还用于 固定绷膜环和固定 膜； 所述绷膜 环用于将所述固定膜撑开； 所述固定膜用于固定所述晶圆。 9.根据权利要求1所述的设备， 其特 征在于， 所述晶圆承载台还 包括： 晶圆翻转装置， 用于翻转所述晶圆承载台。 10.一种晶圆切割方法， 其特 征在于， 包括： 提供一晶圆， 所述晶圆包括衬底， 位于所述衬底上的芯片层以及位于所述芯片层的各 芯片之间的切割道； 所述晶圆具有所述切割道的一 面为所述晶圆的正 面； 固定所述晶圆， 且使所述晶圆正 面朝下； 沿所述切割道对所述晶圆进行切割； 在切割所述晶圆的过程中伴随有熔渣产生； 通过所述晶圆下 方的负气压抽走 所述熔渣。 11.根据权利要求10所述的方法， 其特 征在于， 还 包括： 沿平行于所述晶圆表面的方向向所述切割道位置提供气流， 吹扫所述晶圆的切割熔 渣。 12.根据权利要求11所述的方法， 其特征在于， 所述沿平行于所述晶圆表面的方向向所 述切割道位置提供气流， 包括： 沿平行于所述晶圆表面的方向 向所述切割道位置 至少提供两个互相对称的气流。 13.根据权利要求10所述的方法， 其特征在于， 所述固定所述晶圆， 且使所述晶圆正面权　利　要　求　书 1/2 页 2 CN 115041841 A 2朝下， 包括： 将所述晶圆固定 于晶圆承载台上； 所述晶圆的正 面朝上； 翻转所述晶圆承载台， 且使所述晶圆正 面朝下。权　利　要　求　书 2/2 页 3 CN 115041841 A 3