ICS 71.040.40 G 86 中华人民共和国国家标准 GB/T 34971—2017 半导体制造用气体处理指南 Guide for gaseous effluent handling in semiconductor industry 2017-11-01发布 2018-02-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T 34971—2017 前言 本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203)提出并归口。 本标准起草单位：中昊光明化工研究设计院有限公司、西南化工研究设计院有限公司、高麦仪器公 司、广东华特气体股份有限公司、东莞市联臣电子科技有限公司、上海华爱色谱分析技术有限公司、上海 市计量测试技术研究院， 本标准主要起草人：孙福楠、牛艳东、廖恒易、杜汉盛、王鸿、方华、陈鹰、周鹏云。 1 GB/T 34971—2017 半导体制造用气体处理指南 1范围 本标准规定了半导体制造用气体排放系统的原理及技术。 本标准适用于半导体制造用气体的处理。 2 术语和定义 下列术语和定义适用于本文件。 2.1 效率efficiency 去除的化学物类与其投放量的比率（分数或比例）。 2.2 管道末端减排 end-of-pipe abatement 可在废气处理系统的排放点使用的减排技术， 2.3 使用点减排 point-of-use abatement 可在半导体工艺设备气体排放装置的排放点使用的减排技术。 2.4 去除能力 removal capacity -种物质可被去除的量。 3 缩略语 下列缩略语适用于本文件。 CVD：化学气相沉积（ChemicalVaporDeposition） EPI：外延沉积（EpitaxialDeposition) LEL爆炸下限（LowerExplosiveLimit) LPCVD：低压化学气相沉积（LowPressureChemicalVaporDeposition） OEL：职业接触限值（OcupationalExposureLimit） PECVD：等离子体增强化学气相沉积（PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition） PFC：全氟化合物（Perfluorocompounds） POU:使用点(PointOfUse) RTP：快速热处理（RapidThermalProcess) VOC：挥发性有机化合物（VolatileOrganicCompounds） 4总则 1 GB/T 34971—2017 4.2 2应详细了解制造工程中排放的气体特性及其排放条件。 4.3应认真设计减排系统以实现高效且最经济的减排。 4.4 选择废气处理系统以及减排技术时应考虑所有可能存在于废气中的物质。 4.5应考虑晶片上的物质可能带来的影响，这些物质可能引起连锁排放。 4.6 5产生特殊有害副产物的工艺在向废气系统排放前应进行评估以确定使用适当的POU减排技术。 5排放的分类与要求 5.1分类 5.1.1酸 易水解的酸（如，氯化氢水解产生盐酸）。 5.1.2酸雾 本组污染物包括会产生酸雾或者不易通过简单水洗清除的酸（如王水、硫酸以及硝酸）。高浓度的 易溶解酸也应归入“难清洗酸”之列。 5.1.3氨 含有氨的废气流。 5.1.4挥发性有机化合物 含有挥发性有机化合物蒸气或易燃气体，排放前需要进行处理的废气。 5.1.5自燃气体 含有自燃性气体的废气。 5.1.6紧急排放气 钢瓶等封闭系统突然发生不可预见气体排放而形成的额外废气， 5.1.7特殊排放气 的氮氧化合物废气。 5.1.8一般废气 未进行管道末端减排系统处理的废气，如热处理废气，或POU减排系统的后处理废气。 5.1.9高毒性废气 高毒性气体，特别是预警特性差的气体，如化氢、磷化氢、乙硼烷和锗烷等。 5.2 2废气的排放要求 5.2.1每一类都应有单独的排放系统 5.2.2单独使用废气排放系统的同时，在特定的排放源处可安装POU减排装置 5.2.3当工艺设备连续使用并排放不相容的气体时，应在设备出口处采取措施，避免发生不相容气体 2 GB/T34971—2017 间的有害反应。 6管道末端减排处理技术 6.1酸 6.1.1处理技术 6.1.1.13 通常使用“湿式洗涤”技术实施酸减排。 6.1.1.2这种技术主要用于处理CVD法、干刻蚀和湿化学作业等排放的酸性气体、酸蒸气、酸雾和酸 烟尘。 6.1.2洗涤装置 个大型湿式洗涤装置。可使用多种类型的湿式洗涤装置 6.1.2.3洗涤装置包括采用对流、并流、水平错流的填充床洗涤器，水平喷雾室，垂直喷淋塔以及如文氏 管洗涤器一样的气体雾化设备等。 6.1.2.4吸收装置的设计参见附录A。 6.2酸雾 6.2.1处理技术 6.2.1.1部分酸性物质排放可能是气雾（细小的液滴或气溶胶）的形式。这些物质可能包括相对不易挥 发的酸，如磷酸和硫酸等。 6.2.1.2收集过程的决定性因素在于气雾颗粒的大小。如果气雾颗粒相对较粗，大多数情况下气体吸 收所用的洗涤装置即可以对气雾进行充分的收集。 6.2.1.3如果气雾中含有微来级或亚微米级的微粒，则可能需要使用高能洗涤装置或高压降、带有亚微 米级过滤器的洗涤装置才能对微粒进行充分的收集 6.2.1.4只要遇到这种微小的颗粒或其他气溶胶，就应在气流源头以POU减排技术进行处理或与装 置其他废气流分开单独处理以尽量降低能耗成本。 6.2.1.5半导体制造工业的减排装置常使用高压降、带有亚微米级过滤器的洗涤器以降低王水工艺、热 硝酸洗工艺以及硝酸喷淋蚀刻工艺的排放。 6.2.2洗涤装置 影响。 6.2.2.3实现指定效率所需的能耗随着酸雾颗粒大小的减小而增加。在半导体行业使用的洗涤装置 中，能耗主要由气流的压降决定。 6.2.2.4：能耗与效率是洗涤装置设计的主要依据。 6.3氨 6.3.1处理技术 氨气的处理采用湿式洗涤技术，洗涤液pH值应保持在35之间。 3