ICS 29.045 CCS H 83 中华人民共和国国家标准 GB/T30652—2023 代替GB/T30652—2014 硅外延用三氯氢硅 Trichlorosilane for silicon epitaxial 2024-03-01实施 2023-08-06发布 国家市场监督管理总局 发布 国家标准化管理委员会 GB/T30652—2023 前言 起草。 本文件代替GB/T30652—2014《硅外延用三氯氢硅》，与GB/T30652—2014相比，除结构调整和 编辑性改动外，主要技术变化如下： a) 更改了适用范围（见第1章，2014年版的第1章）： b) 增加了术语和定义一章（见第3章）； 更改了部分技术指标要求（见4.1，2014年版的3.2）； (P 增加了部分项目的试验方法（见第5章，2014年版的第4章）； 更改了组批的规定（见6.2，2014年版的5.2）； f) 增加了检验项目（见6.3)； 更改了取样和制样的要求（见6.4，2014年版的5.3）； h) 更改了检验结果的判定（见6.5，2014年版5.4）； i) 更改了标志的要求（见7.1，2014年版的6.1）； 更改了标志、包装、运输、贮存等的要求（见第7章，2014年版的第6章）。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。 本文件起草单位：洛阳中硅高科技有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、上海亿铜气 体有限公司、南京国盛电子有限公司、唐山三孚电子材料有限公司、上海新昇半导体科技有限公司、上海 晶盟硅材料有限公司、新疆大全新能源股份有限公司、陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司、武汉新 公司、新疆新特新能材料检测中心有限公司、青海中航硅材料有限公司、沁阳国顺硅源光电气体有限公 司、江西晨光新材料股份有限公司。 本文件主要起草人：万烨、赵雄、严大洲、刘见华、张园园、李素青、李建新、李飞明、冯永平、孙任靖、 张斌、顾广安、于生海、邓远红、徐岩、李楷东、刘文明、李明达、付梦月、邱艳梅、边红利、史隽涛、梁秋鸿。 本文件于2014年首次发布，本次为第一次修订。 GB/T 30652—2023 硅外延用三氯氢硅 1范围 本文件规定了硅外延用三氯氢硅（SiHCI）的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮 存、随行文件及订货单内容。 本文件适用于以三氯氢硅为原料精制提纯而制得的硅外延用三氯氢硅（以下简称产品）。 2规范性引用文件 2 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文 件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于 本文件。 GB190危险货物包装标志 GB/T191包装储运图示标志 GB/T1551硅单晶电阻率的测定直排四探针法和直流两探针法 GB/T3723工业用化学产品采样安全通则 GB12463危险货物运输包装通用技术条件 GB/T14264半导体材料术语 GB15258化学品安全标签编写规定 GB/T16483化学品安全技术说明书内容和项目顺序 GB/T24581硅单晶中ⅢI、V族杂质含量的测定低温傅立叶变换红外光谱法 GB/T26571特种气体储存期规范 GB/T28654工业三氯氢硅 GB/T29056硅外延用三氯氢硅化学分析方法、硼、铝、磷、钒、铬、锰、铁、钻、镍、铜、钼、砷和锑量 的测定电感耦合等离子体质谱法 GB/T29057用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程 GB30000.19化学品分类和标签规范第19部分：皮肤腐蚀/刺激 YS/T 987 7氯硅烷中碳含量的测定气相色谱质谱联用法 YS/T1059 硅外延用三氯氢硅中总碳的测定气相色谱法 YS/T 1060 硅外延用三氯氢硅中其他氯硅烷含量的测定气相色谱法 3 术语和定义 GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。 4技术要求 4.1技术指标 产品的技术指标应符合表1的规定。 1 GB/T30652—2023 表1 技术指标 项目 技术指标要求 SiHCl含量/% ≥99.99 其他氯硅烷/% 100> Al含量/(ng/g) ≤0.1 Cr含量/(ng/g) ≤0.1 Cu含量/(ng/g) ≤0.1 Fe含量/(ng/g) 90V Ni含量/(ng/g) ≤0.1 化学成分 Zn含量/(ng/g) ≤0.1 Ca含量/(ng/g) Co含量/(ng/g) ≤0.05 Mn含量/(ng/g) ≤0.1 V含量/(ng/g) ≤0.1 Mo含量/(ng/g) ≤0.1 C含量/(μg/g) ≤0.1 施主杂质含量（P+As+Sb)/10-（ppba） ≤0.2 受主杂质含量（B+Al)/10-（ppba） ≤0.1 电阻率/（Q·cm） ≥1 000 注1：施主杂质含量、受主杂质含量和电阻率的测定采用产品转化为单晶的方法评价 注2：施主、受主杂质含量10-（ppba）等同5×1013atoms/cm；ng/g等同ppbw。 4.2 外观质量 产品应为无色透明液体。 4.3 其他 需方如对产品有其他要求，由供需双方协商确定。 5 试验方法 5.1SiHCl，含量的测定按GB/T28654的规定进行。 5.2 2其他氯硅烷含量的测定按YS/T1060的规定进行。 5.3Al、Cr、Cu、Fe、Ni、Zn、Ca、Co、Mo、Mn、V含量的测定按GB/T29056的规定进行 5.4C含量的测定按YS/T987或YS/T1059的规定进行，仲裁检验按YS/T987的规定进行。 5.5 5施主杂质含量和受主杂质含量的测定，按附录A的规定制备为硅单晶样棒后，按GB/T24581的 规定进行，也可由供需双方协商确定。 5.6 5电阻率的测定按附录A的规定制备为硅单晶样棒后，按GB/T1551的规定进行，也可由供需双方 协商确定。 2 GB/T30652—2023 5.7外观质量在自然光下，用自视法检查。 6 检验规则 6.1检查和验收 6.1.2需方可对收到的产品按本文件的规定或双方认同的方法进行检验，若检验结果与本文件及订货 单的规定不符时，应在收到产品之日起3个月内以书面形式向供方提出，由供需双方协商解决。 6.2组批 产品应成批提交验收，每批应由同一生产线连续稳定生产的硅外延用三氯氢硅组成，也可按产品贮 罐组批。 6.3检验项目 每批产品应对技术指标和外观质量进行检验 6.4取样和制样 6.4.1取样安全应符合GB/T3723的规定，应避免样品沾污。 6.4.2化学成分和外观质量的抽样规则按表2的规定执行，或由供需双方协商确定。 表2抽样规则 单位为瓶 产品批量 最少抽样数量 1~10 1 11~20 2 >20 5 6.4.3施主杂质含量、受主杂质含量和电阻率的制样按附录A或供需双方协商确定的方法进行，每批 制备一个试样进行检验。 6.5检验结果的判定 6.5.1化学成分和外观质量的检验结果中有任意一项不合格时，加倍取样对不合格项目进行重复检 验，若重复检验结果仍不合格，判该批产品不合格。 6.5.2施主杂质含量、受主杂质含量和电阻率的检验结果若有任意一项不合格，对该批产品再评价，若 重复检验结果仍有任意一项不合格，判该批产品不合格 7标志、包装、运输、贮存及随行文件 7.1标志 7.1.1产品包装容器外应张贴标签，并注明： a）供方名称； b）产品名称； 3 GB/T30652—2023 c) 订单号； 批号； e) 净重； f) 本文件编号； 生产日期； h) 储存期； i) 容器编号； j) 符合GB/T191规定的包装储运图示标志。 7.1.2 产品的包装标志应符合GB190的规定，标签应符合GB15258和GB30000.19的规定 7.2 包装 7.2.1 产品的包装容器应符合GB12463的规定 7.2.2 产品的最大充装量应不高于容器体积的95%。 7.2.3 产品的包装应使用进行内表面经抛光处理的316L不锈钢材质，应防止泄漏和接口被污染 7.3 运输 7.3.1 产品的运输和贮存要求见《危险化学品安全管理条例》及《国际海运危险货物规则》。 7.3.2 产品在运输过程中应小心轻放，避免剧烈振动和日光曝晒，不应倒置，防止沾污。 7.4贮存 7.4.1 产品应贮存在通风、阴凉、干燥的库房内，远离火种、热源。 7.4.2 产品储存期应符合GB/T26571的规定，一般自生产之日起一年。 7.5 随行文件 每批产品应附有随行文件，其中除应包括供方信息、产品信息、本文件编号、出厂日期或包装日期 外，还宜包括以下内容。 a） 产品质量证明书： . 合同号； 产品名称； . . 批号； . 容器编号和净重； 产品净重； . . 生产日期； . 检验日期； . 检验项目及其结果； 储存期； . . 供方质检部门印章。 b）产品按GB/T16483要求制定安全技术说明书和产品安全标签。 c）其他。 订货单内容 8 需方可根据自身的需要，在订购本文件所列产品的订货单内，列出以下内容： 4 GB/T30652—2023 产品名称； a) 产品技术要求； b) c) 产品净重； d) 本文件编号； e) 本文件中要求在订货单中注明的内容； 其他。 f) 5