ICS 77.150.30 CCS H 62 YS 中华人民共和国有色金属行业标准 YS/T 678—2024 代替YS/T678-2008 半导体封装用键合铜丝 Copper bonding wire for semiconductor package 2024-10-24 发布 2025-05-01 实施 中华人民共和国工业和信息化部•发布 YS/T 678—2024 前言 起草。 本文件代替YS/T678-2008《半导体器件键合用铜丝》，与YS/T678-2008相比，除结构调整和编 辑性改动外，主要技术变化如下： ：，（ b) 更改了标准范围，由“半导体器件键合用铜丝”更改为“半导体封装用键合铜丝”（见第1 章，2008年版的第1章）； c） 增加了术语和定义（见第3章）： 增加了Cu99的牌号（见4.1，2008年版的3.1.1）； (P e) 更改了产品标记表述形式（见4.2，2008年版的3.1.2）； 更改了化学成分要求，增加Cu99化学成分，杂质元素含量不做单独要求，统一归类到杂质元 素质量分数总和中（见5.1，2008年版的3.2） 更改了机械性能要求，删除质量和状态，增加Cu99机械性能（见5.3.1，2008年版的3.3）； g） 增加了表面质量要求，产品表面缺陷不超过直径5%（见5.4）； 更改了化学成分分析方法，删除GB/T13293（所有部分）高纯阴极铜化学分析方法，增加了 化学成分实验方法（见6.1，2008年版的4.1） 更改了长度、表面质量、卷曲及轴向扭曲、放丝性能试验方法，不在附录中单独规定，引用 J） GB/T8750-2022《半导体封装用金基键合丝、带》附录（见6.2、6.4、6.5、6.7，2008年版 的4.5、4.4、4.6、4.7）； k） 增加了绕丝要求取样规定（见7.4）； 更改了检验结果的判定要求（见7.5，2008年版的5.6）； 10 增加了产品标签本文件编号的内容（见8.1.1）； n） 氮”要求（见8.2.1，2008年版的6.2.1）； 更改了贮存温度要求，由“21℃±5℃”更改为“10℃～40℃”（见8.4.1，2008年版的6.4.3)； o） p） 更改了贮存时间要求，由12个月改为6个月，增加了开封使用要求（见8.4.2，2008年版的 6.4.4); 更改了订货单内容要求（见9，2008年版的8）； (b 删除附录B、附录C、附录D、附录E（见2008年版的附录B、附录C、附录D、附录E）。 r 请注意本文件的有些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由全国有色金属标准化技术委员会（SAC/TC243）提出并归口。 本文件起草单位：烟台一诺电子材料有限公司、贺利氏（招远）贵金属材料有限公司、北京达博有 色金属焊料有限责任公司、浙江佳博科技股份有限公司、上杭县紫金佳博电子新材料科技有限公司、山 东科大鼎新电子科技有限公司、深圳金斯达半导体材料有限公司。 本文件主要起草人：林良、刘炳磊、刘团结、周晓光、赵义东、周钢、苗海川、李天祥、王婷、付 建彬、王雅婷、薛子夜、刘新娜。 本文件于2008年首次发布，本次为第一次修订。 I YS/T 678—2024 半导体封装用键合铜丝 1范围 本文件规定了半导体封装用键合铜丝的分类和标记、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、 运输、贮存及随行文件和订货单内容。 本文件适用于半导体封装用键合铜丝。 规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件， 仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本 文件。 GB/T5121（所有部分）铜及铜合金化学分析方法 GB/T8750一2022半导体封装用金基键合丝、带 GB/T10573有色金属细丝拉伸试验方法 GB/T15077贵金属及其合金材料几何尺寸测量方法 YS/T521.1粗铜化学分析方法第1部分：铜量的测定碘量法 YS/T586铜及铜合金化学分析方法电感耦合等离子体原子发射光谱法 YS/T922高纯铜化学分析方法痕量杂质元素含量的测定辉光放电质谱法 3术语和定义 3 下列术语和定义适用于本文件， 3. 1 键合铜丝 copper bonding wire 由铜基铸棒拉拔（或孔轧）和退火而成，截面形状为圆形，直径小于0.1mm的丝线，且在半导体封 装电路中作连接线。 3. 2 伸长率波动范围 range of elongation 键合铜丝产品实际测量伸长率时的允许偏差，即为至少三个伸长率实测值的极差。 3. 3 停点stop point 键合铜丝由轴上放丝时，出现放不下来的情况 分类和标记 4