ICS77.040 CCS H 17 中华人民共和国国家标准 GB/T24581—2022 代替GB/T24581—2009 硅单晶中Ⅲ、V族杂质含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法 Test method for II and V impurities content in single crystal silicon- Low temperature FT-IR analysis method 2022-10-01实施 2022-03-09发布 国家市场监督管理总局 发布 国家标准化管理委员会 GB/T24581—2022 前言 本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草。 本文件代替GB/T24581一2009《低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、V族杂质含量的测 试方法》，与GB/T24581一2009相比，除结构调整和编辑性改动外，主要技术变化如下： 删除了“目的”（见2009年版的第1章）； a) b) 更改了硼（B）、磷（P）、（As）、铝（AI)、锑（Sb）、（Ga）的测定范围，并增加了铟（In）含量的测 定（见第1章，2009年版的第2章）； 更改了术语和定义（见第3章，2009年版的第5章）； c) d) e) 增加了用次强吸收谱带P（275cm-1）来计算磷（P)元素的含量（见5.8）； 增加了掺杂硅单晶对测量的影响（见5.9）； g) 更改了多晶转变为单晶的方法（见5.12，2009年版的8.1)； h) 更改了傅立叶变换红外光谱仪的要求（见7.4，2009年版的7.4）； i) 增加了千分尺及其精度要求（见7.5）；5g j) 更改了非零响应值谱线范围（见9.2,2009年版的10.2）； k) 更改了背景光谱的扫描次数（见9.7.2009年版的11.5）； 更改了样品的扫描次数（见9.10，2009年版的11.8）； m）表1中增加了P(275cm")对应的峰位置、基线和积分范围及校准因子（见10.1)； 更改了杂质含量的单位，并对计算公式进行了相应的修约（见10.4，2009年版的13.1、13.2）； n) o） 更改了测量结果的精密度（见第11章，2009年版的第15章）； 更改了试验报告的内容（见第12章，2009年版的第14章）； b 删除了偏差、关键词（见2009年版的第16章、17章）。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备与材料标准 化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2）共同提出并归口。 本文件起草单位：乐山市产品质量监督检验所、青海芯测科技有限公司、江苏中能硅业科技发展有 限公司、亚洲硅业（青海）股份有限公司、新特能源股份有限公司、有研半导体硅材料股份公司、四川永祥 股份有限公司、陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司、江苏鑫华半导体材料科技有限公司、洛阳中硅 高科技有限公司、新疆协鑫新能源材料科技有限公司、国标（北京）检验认证有限公司、有色金属技术经 济研究院有限责任公司、宜昌南玻硅材料有限公司、江苏秦烯新材料有限公司、义乌力迈新材料有限 公司。 本文件主要起草人：梁洪、赵晓斌、万涛、薛心禄、魏东亮、王彬、邱艳梅、杨素心、李素青、李朋飞、 赵培芝、王永涛、魏强、楚东旭、周延江、刘文明、刘红、何建军、皮坤林。 本文件于2009年首次发布，本次为第一次修订。 1 GB/T24581—2022 硅单晶中Ⅲ、V族杂质含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法 1范围 本文件描述了用低温傅立叶变换红外光谱法测定硅单晶中Ⅲ、√族杂质含量的方法。 量的测定，各元素的测定范围（以原子数计）为1.0×101°cm-～4.1X101*cm-"。 2规范性引用文件 2 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文 件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于 本文件 GB/T8322 分子吸收光谱法术语 GB/T14264半导体材料术语 GB/T29057用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程 3术语和定义 GB/T8322、GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。 SZG 4方法原理 将硅单晶样品冷却至15K以下，此时红外光谱主要是由杂质元素引起的一系列吸收谱带。用一个 连续白光光源照射样品，使其光线能量大于补偿杂质的能带。将红外光束直接透射样品，采集透射光 谱，该光谱扣除背景光谱后转化为吸收光谱。在杂质元素特征吸收谱带上建立基线并计算其吸收谱带 面积。根据通用吸收定律及本文件给出的Ⅲ、V族杂质元素校准因子计算出血、V族杂质元素的含量。 5 干扰因素 5.1为消除自由载流子的影响，样品应冷却至15K以下测量Ⅲ、V族杂质元素。将样品固定在冷头上 时，样品和冷头之间应保持良好的接触，以获得较高的热传导效率。氧在1136cm-和1128cm-的吸 收谱带对温度十分灵敏，可用于判断样品温度。当样品温度高于15K时，氧在1136cm-的吸收强度 是1128cm-吸收强度的3倍；而低于15K时，其比率将大于3。 5.2如果没有足量连续的白光，补偿的施主和受主将不产生吸收，故应有足够强度的白光以完全抵消 所有施主和受主的补偿。可通过逐步增加仪器白光强度来确定Ⅲ、V族杂质吸收峰的面积或高度不再 受光强增加影响的最佳白光强度 1 GB/T24581—2022 5.3水蒸气吸收谱会干扰数个吸收谱的测量，应除去光路中（含样品室）的水汽，更换样品时，应保证样 品室和光路中的其他部分不受水汽的影响，并且在测量时应先采集背景光谱。 5.4直拉硅单晶中氧含量较高时，将产生热施主吸收谱线。这些谱线在400cm-1~500cm-1之间，影 响Al(473cm-1）、Ga548cm-1）和As（382cm-1）的测量。氧的热施主影响可以通过退火的方法消除。 5.5多级内部反射会产生次级干涉和基线偏离。通过改变样品厚度、表面处理方式或分辨率可以消除 次级干涉和基线偏离。 5.6测量含量小于5.0×10″cm-的杂质时，建议采用厚度5mm~20mm的样品及恒定低温检测器 （低于15K，波动小于1K）进行检测，以消除干扰，提高测量的准确性。 收谱带则位于320cm-1。 （P）元素的含量。可采用磷（P）的次强吸收谱带P（275cm1）来计算磷（P）元素的含量。 5.9对于掺杂硅单晶，其掺杂元素较高的吸收峰会干扰其他元素的测量，因此不建议将本方法作为掺 杂硅单晶中Ⅲ、V族杂质元素的测量方法，并且本方法不能作为测定掺杂硅单晶中Ⅲ、V族杂质元素的 仲裁方法。 5.10本方法采集的吸收谱带通常很尖锐，尤其是V族元素，峰高值在不同仪器上难以重现，采用计算 峰面积可最大限度地减少这种影响。 5.11采用计算机计算吸收峰面积时，由于积分仪的限制，不能自由调整零点和基线，因而可能带来 误差。 5.12本方法是多晶硅质量的重要评价方法，但由于多晶的晶界严重影响样品的红外吸收，因此，本方 法测试时应按照GB/T29057规定的方法，将多晶硅转变成单晶硅后才可应用。 6试剂和材料 氟化钙（CaF，）晶片，厚度5mm。 7仪器设备 7.1低温恒温箱，保证样品温度低于15K，可采用液氨（He）浸液式、交换式或封闭循环等方式冷却。 7.2样品架，由高热传导系数的金属材料制成，开有小孔并可阻挡通过样品以外的任何红外光线，如 图1所示。 7.3白光光源，如图1所示。 2 GB/T24581—2022 光导纤维 钢片 红外光 佳单品样品 白光光源 样品架 低温制冷器冷端 图1样品架和采用光纤的白光光学系统示意图 7.4傅立叶变换红外光谱仪，至少具有1cm-的分辨率，具有优于1250cm-1～270cm-范围的光学 部件和检测器，检测器应具有足够灵敏度，在要求的光谱范围提供合适的信噪比。 7.5千分尺，精度不低于0.01mm。 8样品 8.1准备1个或多个硅单晶样品，其杂质含量在本方法的检测范围内，作为标准样品。按本方法对其 进行重复及周期性测量，对照前后结果，以保证仪器测量的重复性和稳定性。 8.2根据样品架尺寸切割、抛光样品。样品表面可采用机械或化学抛光，样品的厚度误差应不超 过1%。 8.3测量不同硅单晶中Ⅲ、V族杂质含量时，按以下厚度准备样品： a）电阻率大于2000Q·cm的高纯度样品，厚度宜为3mm～5mm，以达到较低的检测限； b）电阻率小于10α·cm的非重掺样品，厚度宜为1mm~2mm，以获得更大的红外光透射率； 杂质含量小于5.0×10llcm-的样品，厚度宜为5mm~20mm。 9试验步骤 9.1 按以下步骤对傅立叶变换红外光谱仪的稳定性进行检查： 通过开启的低温样品架光通道，连续收集存储两张背景光谱； a) b） 将两张光谱相扣后得到透射光谱； 检查从1200cm-1~270cm-的谱线，谱线透过率应在（100士0.5）%T之间，否则，应校正 仪器。 9.2按以下步骤对检测器线性度进行检查： a) 零响应值（对具有CsI窗口的Ge：Zn检测器为小于200cm-1）。在此区间所观察到的非零响 应值应不超过1200cm-1~270cm-1谱线范围内最大响应值的1%。否则，应进行校正； b）备用方法，将CaF。晶片放在红外光路中，扫描一张光谱，扣除9.1中得到的两张背景光谱之 一，得到透射光谱。CaF2晶片在800cm-以下完全不透光，800cm-1~270cm-的光谱应满 3 GB/T24